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Si6993DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
2000
1600
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
800
400
0
C rss
C iss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 4.7 A
1.40
V GS = 10 V
I D = 4.7 A
4
1.20
3
1.00
2
1
0
0.80
0.60
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
1
0.1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 4.7 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72369
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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